Mikroskop SEM/Ga-FIB FEI Helios NanoLab™ 600i |
---|
Mikroskop dwuwiązkowy łączy zalety ultrawysokorozdzielczego mikroskopu elektronowego i mikroskopu jonowego. Energia skupionej wiązki jonów galu pozwala na selektywne usuwanie i modyfikowanie materiału preparatu w nanoskali. Wiąże się to z możliwością wykonywania przekrojów, rekonstrukcji trójwymiarowej oraz preparatyki próbek TEM, |
Parametry Zakres napięć przyspieszających: – kolumna elektronowa: 350 V -30 kV (w trybie Beam Deceleration od 50 V), – kolumna jonowa: 500 V – 30 kV.
Rozdzielczość: – wiązka elektronowa: 1 nm,* – wiązka jonów: 2,5 nm.*
Maksymalne parametry preparatu: – średnica: 150 mm z pełnym obrotem próbki (możliwy montaż większych preparatów*), – wysokość: 100 mm, – maksymalna waga: 500 g (wliczając uchwyt preparatu).
|
Zastosowania – Ultrawysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni preparatu. – Tworzenie i analiza przekrojów w nano- i mikroskali. – Selektywne nanoszenie materiałów w technologii FEBID i FIBID.* – Obrazowanie kontrastu materiałowego preparatu. – Możliwość charakteryzacji szerokiego spektrum preparatów przewodzących i nieprzewodzących bez ich modyfikacji.* – Trójwymiarowa rekonstrukcja preparatu na podstawie obrazów SEM. oraz pierwiastkowych map EDS (objętość około 1 000 μm3). – Przygotowywanie wysokiej jakości próbek TEM o grubości poniżej 100 nm. – Szybkie prototypowanie struktur przestrzennych w mikroskali.
|
Detektory – ETD (elektrony wtórne) – TLD (elektrony wtórne) – ICE (jony wtórne) – CBS (elektrony wstecznie rozproszone)
|
Mikroskop SEM/Xe-PFIB FEI Helios PFIB |
Technologia skupionej wiązki jonów plazmy ksenonu (Xe-PFIB) pozwala na nowe, nieosiągalne innymi metodami badania. W połączeniu |
Parametry Zakres napięć przyspieszających: – kolumna elektronowa: 50 V – 30 kV, – kolumna jonowa: 2 kV – 30 kV. Rozdzielczość: – kolumna elektronowa: 1 nm, – kolumna jonowa: <25 nm.* Maksymalne parametry preparatu: – średnica: 150 mm z pełnym obrotem próbki (możliwy montaż większych preparatów*), – wysokość: 100 mm, – maksymalna waga: 500 g (wliczając uchwyt preparatu).
|
Zastosowania – Ultrawysokorozdzielcze obrazowanie powierzchni preparatu. – Tworzenie map pierwiastkowych EDS, analizy punktowe oraz liniowe składu pierwiastkowego. – Tworzenie i analiza przekrojów w nano- i mikroskali. – Selektywne nanoszenie materiałów w technologii FEBID i FIBID.* – Obrazowanie kontrastu materiałowego preparatu. – Możliwość charakteryzacji szerokiego spektrum preparatów przewodzących i nieprzewodzących bez ich modyfikacji.* – Trójwymiarowa rekonstrukcja preparatu na podstawie obrazów SEM oraz pierwiastkowych map EDS (objętość około 1 000 000 μm3). – Przygotowywanie wysokiej jakości próbek TEM o grubości poniżej 100 nm – kompatybilność z materiałami na bazie aluminium i galu. – Szybkie prototypowanie struktur przestrzennych w mikroskali. – Trawienie materiałów bez pozostawiania artefaktów (np. implantacja galu).
|
Detektory – ETD (elektrony wtórne) – TLD (elektrony wtórne) – ICE (jony wtórne) – CBS (elektrony wstecznie rozproszone) – EDS (charakterystyczne promieniowanie rentgenowskie*)
|
Mikroskop sił atomowych (AFM) Nanosurf FLEX-Axiom |
Mikroskopia AFM umożliwia badania powierzchni z atomową rozdzielczością. Doskonale oddaje morfologię powierzchni, pozwala na analizę właściwości elektrycznych struktur elektrycznych (złącz, tranzystorów itp.). Nasze urządzenie pozwala na dokonywanie pomiarów jakościowych oraz ilościowych. Izolacja akustyczna oraz system tłumienia drgań zapewnia stabilną pracę urządzenia. |
Parametry – Maksymalne pole pracy: 100 µm x 100 µm. – Zakres wysokości pracy skanera: 10 µm. – Możliwość pracy w trybie: kontaktowym, dynamicznym, modulacji siły, rezystancji. – Maksymalne wymiary preparatu: nieograniczone.* – Maksymalna wysokość preparatu: nieograniczona.*
|
Zastosowania – Badania morfologii powierzchni. – Tworzenie mapy sztywności oraz przewodności powierzchni (rezystancji). – Pomiary grubości warstw. – Statystyka rozmiaru nanocząstek.
|
Urządzenie do czyszczenia plazmowego Harrick Plasma PDC-32G-2 |
Urządzenie, które wykorzystuje fizykochemiczną metodę czyszczenia próbek. Idealnie sprawdza się przy czyszczeniu próbek w nano- |
Parametry – Wymiary komory próżniowej: 75 mm średnicy x 170 mm głębokości. – Maksymalna moc RF: 18 W. – Częstotliwość RF: 8 – 12 MHz.
|
Zastosowania – Czyszczenie powierzchni. – Aktywacja powierzchni. – Trawienie plazmowe.
|
Myjka ultradźwiękowa IS-28 |
Technologia ultradźwiękowa stosowana jest do mycia detali o rozwiniętej powierzchni. Energia ultradźwiękowa dociera do trudno dostępnych otworów i szczelin. Proces mycia polega na generowaniu fal ciśnienia wysokiej częstotliwości, wywołujących w kąpieli zjawisko kawitacji. Pęcherzyki powietrza implodują na powierzchni oczyszczanego przedmiotu i usuwają cząstki zanieczyszczeń (oleju, pyłów, past polerskich, wiórów itp.). Mycie ultradźwiękowe zapobiega powstawaniu uszkodzeń mechanicznych detali, zapewniając najwyższą jakość i precyzję mycia. Skutecznością przewyższa tradycyjne, ręczne i natryskowe metody mycia. |
Parametry – Wymiary wew. wanny: 320 x 320 x 280 mm. – Pojemność: 28,0 l. – Regulator temperatury: 20-70 °C.
|
Zastosowania – Wstępne mycie preparatów. – Oczyszczanie detali z zanieczyszczeń organicznych.
|
Mikroskop stereoskopowy Motic SMZ-171-TLED |
Wysokiej klasy mikroskop z systemem Greenough’a (płynna zmiana powiększenia). W naszym laboratorium narzędzie to służy do wstępnej inspekcji optycznej preparatów. |
Parametry – Powiększenie optyczne: od 7,5x do 50x. – Odległość robocza: 110 mm.
|
Zastosowania – Wstępna inspekcja optyczna preparatów.
|
Napylarka próżniowa Quorum Technologies Q150T E |
Rotacyjna napylarka próżniowa jest urządzeniem, które idealnie nadaje się do przygotowywania próbek dla mikroskopii elektronowej (SEM) oraz jonowej (Ga-FIB/Xe-PFIB). Pozwala na nanoszenie stabilnych, bardzo cienkich przewodzących powłok węglowych, które usuwane są po analizie. |
Parametry – Platforma robocza: 50 mm średnicy.
|
Zastosowania – Przygotowywanie preparatów do analiz SEM, Ga-FIB/Xe-PFIB.
|
* W celu uzyskania bardziej szczegółowych informacji prosimy o kontakt z naszymi inżynierami.